В России создали улучшенные элементы памяти для гибкой электроники, облучив ионами ксенона фторированный графен
Российские ученые облучили ионами ксенона фторированный графен, удалив фтор и создав проводящие квантовые точки в матрице изолирующего материала. После чего были созданы
Мемристор по своим свойствам похожий на синапс — место контакта двух нейронов. В отличие от транзистора, мемристор способен не только передавать информацию в режиме “0” или “1”, а еще присвоить ей уровень значимости. Мемристоры способны «запоминать» количество протекшего через них заряда и менять свое сопротивление в зависимости от этого. Если подать высокое напряжение, мемристорная система станет открытой — будет проводить электрический ток, а при смене полярности напряжения — закроется.
«Наши дальнейшие планы работы с новым материалом — показать, как взаимодействуют ячейки памяти в массиве, для этого мы сделаем небольшие логические электронные схемы: “И”, “Не”, “Или”. Существует множество параметров, на которые может влиять соединение ячеек, и нам нужно проверить, как будут мемристоры чувствовать себя в системе из нескольких элементов», — поясняет автор исследования, научный сотрудник лаборатории физики и технологии трехмерных наноструктур ИФП СО РАН кандидат физико-математических наук Артём Иванов.
Исследования по созданию энергонезависимой памяти для гибкой электроники ведутся во всем мире. Артём Иванов отметил, что обычно такую память пытаются сделать на основе оксида графена и полимерных материалов, дихалькогенидов металлов.








