Работу провели сотрудники Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН), научной группы под руководством доктора наук Ирины Антоновой, Объединенного института ядерных исследований (ОИЯИ), Новосибирского государственного технического университета, Университета Николая Коперника (Польша).

Это продолжение работы специалистов ИФП СО РАН по созданию элементов памяти для гибкой электроники на основе соединений графена. Ранее они создали мемристоры, модифицируя графен химическим путем, с целью получить систему квантовых точек в матрице фторированного графена. Новый способ позволяет более контролируемо добиться создания нужной для работы мемристоров системы.

Мемристор по своим свойствам похожий на синапс — место контакта двух нейронов. В отличие от транзистора, мемристор способен не только передавать информацию в режиме “0” или “1”, а еще присвоить ей уровень значимости. Мемристоры способны «запоминать» количество протекшего через них заряда и менять свое сопротивление в зависимости от этого. Если подать высокое напряжение, мемристорная система станет открытой — будет проводить электрический ток, а при смене полярности напряжения — закроется.

«Наши дальнейшие планы работы с новым материалом — показать, как взаимодействуют ячейки памяти в массиве, для этого мы сделаем небольшие логические электронные схемы: “И”, “Не”, “Или”. Существует множество параметров, на которые может влиять соединение ячеек, и нам нужно проверить, как будут мемристоры чувствовать себя в системе из нескольких элементов», — поясняет автор исследования, научный сотрудник лаборатории физики и технологии трехмерных наноструктур ИФП СО РАН кандидат физико-математических наук Артём Иванов.

Исследования по созданию энергонезависимой памяти для гибкой электроники ведутся во всем мире. Артём Иванов отметил, что обычно такую память пытаются сделать на основе оксида графена и полимерных материалов, дихалькогенидов металлов.