Китай приблизился к созданию 3-нм микросхем на старых DUV-литографах
ixbt
18.09.2026 09:11
2
Китайская академия наук анонсировала новую архитектуру транзисторов с круговым затвором (GAA), которая достигла коэффициента включения/выключения более 500 000 раз на установке для DUV-литографии, что теоретически позволяет достичь производительности, эквивалентной 3 нм. Original: iXBT.comСредний рейтинг 0 |
Комментарии:Здесь нет комментариев.Здесь пока нет ни одного комментария, вы можете стать первым! |
