Транзисторы будущего будут собирать по атомам: ученые сделали «грунтовку» толщиной 0,42 нм — она может помочь создавать транзисторы атомарных размеров
ixbt
12.09.2026 21:16
1
Тайваньские исследователи разработали сверхтонкий буферный слой, который может решить одну из главных проблем транзисторов на основе двумерных полупроводников. Прослойка из оксида алюминия имеет толщину около 0,42 нм — всего несколько атомов — и позволяет разместить изолятор максимально близко к проводящему каналу. Original: iXBT.comСредний рейтинг 0 |
Комментарии:Здесь нет комментариев.Здесь пока нет ни одного комментария, вы можете стать первым! |
