AMD сравнила энергоэффективность перспективной 3D DRAM с традиционным HBM. В обычном HBM несколько кристаллов DRAM соединяются вертикально через сквозные кремниевые соединения (TSV), а сам стек размещается рядом с процессором или ИИ-ускорителем. В 3D DRAM память также располагается вертикально, но непосредственно над вычислительным кристаллом и соединяется с ним технологией hybrid bonding.