Samsung, по данным южнокорейских СМИ, продвигается в развитии своих передовых техпроцессов и уже готовится к пробному выпуску 2-нм чипов по технологии GAA на заводе в Тейлоре, штат Техас. Изначально техасская площадка строилась как предприятие для производства 4-нанометровых процессоров и однокристальных систем, однако предприятие будет препрофилировано под выпуск CPU и SoC по более тонкому техпроцессу. Сообщается, что уровень выхода годных 2-нанометровых кристаллов у компании достиг примерно 60%, что дало производителю достаточно уверенности для следующего этапа развертывания. Такой шаг может дать компании заметное преимущество на американском рынке полупроводников, особенно с учетом того, что TSMC пока ограниченно переносит самые передовые технологии в США.
0.99