Ключевой особенностью будущего 1-нм процесса должна стать архитектура forksheet. Если в нынешних 2-нанометровых решениях Samsung использует GAA (Gate-All-Around), то на следующем этапе компания хочет добавить между такими структурами электрически изолирующие стенки, позволяющие плотнее размещать элементы на той же площади кристалла. По сути, forksheet должен помочь увеличить число транзисторов в пределах прежней площади.

Параллельно Samsung ускоряет развитие 2-нанометрового техпроцесса. Компания работает над несколькими вариантами, включая SF2T — 2-нанометровый процесс для SoC Tesla AI6, которую планируется производить с 2027 года на заводе Samsung в Тейлоре в США. Также компания развивает варианты SF2P (его начнут применять уже в текущем году для новых мобильных процессоров) и SF2P+ (запуск намечен на следующий год).

По словам представителей отрасли, выход годных кристаллов с текущим 2-нанометровым процессом Samsung уже превысил 60%.