По данным Samsung, HBM4E обеспечивает скорость до 16 Гбит/с на контакт, пропускную способность до 4 ТБ/с на стек и ёмкость до 48 ГБ на стек. Это позволит системе Rubin Ultra теоретически получить до 384 ГБ HBM-памяти и до 64 ТБ/с общей пропускной способности, что значительно выше показателей обычной Rubin.

Одновременно Samsung сообщила, что её HBM4 уже запущена в массовое производство и предназначена для платформы Nvidia Vera Rubin. Эта память обеспечивает скорость 11,7 Гбит/с, с возможностью увеличения до 13 Гбит/с.

Компания также впервые показала технологию hybrid copper bonding (HCB), которая должна позволить создавать HBM-стеки с 16 и более слоями и снижать тепловое сопротивление более чем на 20% по сравнению с традиционной технологией.

Помимо памяти, Samsung продемонстрировала модуль SOCAMM2, уже находящийся в массовом производстве, и твердотельный накопитель PM1763 SSD с интерфейсом PCIe 6.0, ориентированный на ИИ-серверы. Кроме серверных решений, Samsung представила память LPDDR5X и LPDDR6 для мобильных устройств. LPDDR5X обеспечивает скорость до 25 Гбит/с на контакт и снижает энергопотребление до 15%, а LPDDR6 рассчитана на 30–35 Гбит/с и получила новые механизмы управления питанием.