Анализ показал, что дефекты формируются на этапе роста каналов транзисторов и могут существенно влиять на движение электронов в устройствах, где ширина канала составляет всего 15–18 атомов. Такие неровности затрудняют поток заряда и становятся критическим фактором для производительности современных чипов.

Методика позволяет отслеживать изменения структуры после каждого этапа технологического процесса (травление, осаждение, нагрев), что даёт производителям инструмент для точной диагностики и оптимизации параметров на атомном уровне.

Открытие имеет значение не только для массовых микросхем (смартфоны, серверы, ИИ-центры), но и для квантовых компьютеров, где контроль над атомной структурой особенно важен.

Авторы подчёркивают, что новая методика станет важным инструментом для поиска и устранения дефектов на ранних этапах разработки чипов, а также для фундаментальных исследований в области материаловедения.