Скорость составляет 11,7 Гбит/с, максимальная — до 13 Гбит/с. Пропускная способность выросла до 3,3 ТБ/с на стек, что в 2,7 раза превышает показатели памяти HBM3E. Такие цифры критически важны для устранения узких мест при обучении больших языковых моделей ИИ. Несмотря на удвоение количества контактов ввода-вывода (с 1024 до 2048), инженерам удалось улучшить энергоэффективность на 40%.

На текущий момент Samsung предлагает решения объемом 24 и 36 ГБ (12-слойные), а в ближайших планах — выпуск 16-слойных модулей объемом 48 ГБ.

Samsung прогнозирует взрывной рост спроса на память: компания ожидает, что продажи HBM в 2026 году вырастут более чем в три раза по сравнению с 2025 годом. Параллельно с расширением выпуска HBM4, компания планирует начать тестирование образцов улучшенной версии HBM4E уже во второй половине 2026 года, а с 2027 года — приступить к выпуску чипов памяти под конкретные требования заказчиков.