Российский проект использует уникальные условия космического вакуума, позволяющие выращивать полупроводники без примесей кислорода и углерода. Атомарно-тонкие слои кристалла формируются друг на друге так, чтобы материал обладал заданными свойствами — например, излучал или улавливал свет в нужном диапазоне и выдерживал высокое напряжение, при котором обычные полупроводники могут выходить из строя.

До этого полупроводники в космосе выращивали с конца 1990-х годов, однако новосибирская установка — одна из немногих российских разработок, способная создавать кристаллы компактно и эффективно. В институте физики полупроводников СО РАН подчёркивают, что её производство сложное и дорогостоящее, но именно оно открывает новые возможности для исследований и создания передовой микроэлектроники.