Собственно, использование органических подложек и является одним из методов удешевления. По сравнению с кремниевыми, трассировка на органической подложке позволяет создавать более длинные электрические каналы между SoC и стеками памяти, что потенциально снижает ограничения по компоновке в больших корпусах и позволяет разместить больший объем памяти вблизи корпуса.  

Если такая память получит широкое распространение, она заполнит те пробелы, которые имеются между обычной HBM и GDDR. 

SPHBM работает с той же суммарной пропускной способностью данных, что и HBM4, используя меньшее количество контактов за счет более высокой частоты. Если интерфейс HBM4 имеет 2048 сигналов данных, то после публикации SPHBM4 будет определять 512 сигналов данных с сериализацией 4:1 для достижения той же полосы пропускания.  

Поскольку SPHBM4 использует те же слои ядра памяти, что и HBM4, общая емкость памяти на один стек одинакова. Однако дополнительным преимуществом трассировки на органической подложке является большая поддерживаемая длина канала от SoC до памяти, что потенциально увеличивает общее количество стеков SPHBM и, следовательно, общую емкость памяти