Накопитель в форм-факторе M.2 2280 поддерживает PCIe 5.0 x4 и NVMe 2.0, оснащён флеш-памятью V-NAND TLC и кешем DRAM (от 1 до 8 ГБ в зависимости от объёма). Скорость случайных операций достигает 2200 тыс. IOPS на чтение и 2600 тыс. IOPS на запись для моделей 4 и 8 ТБ, что отлично подходит для задач вроде обработки ИИ и видеомонтажа. Надёжность варьируется от 600 ТБ до 4800 ТБ в зависимости от модели, с пятилетней гарантией.

Для управления температурой используются никелированные контроллеры и теплораспределители, а 5-нм техпроцесс повысил энергоэффективность на 49%. Программное обеспечение Samsung Magician обеспечивает мониторинг, обновления прошивки и безопасный перенос данных.