Для демонстрации возможностей метода были выращены мембраны на основе титаната стронция и лантан-стронций-манганита. Эти материалы важны для спинтроники — области, где передача информации осуществляется с помощью спина электрона. Исследователи показали, что даже после отделения от подложки мембраны сохраняют магнитный порядок и высокую проводимость.

Ключ к успеху — особая «жертвенная» прослойка, которую можно выборочно растворить, не повреждая основной материал. Такой метод уже применяли для некоторых полупроводников, но для сложных оксидов он оказался технически гораздо труднее. В работе приведён способ контролировать рост кристалла так, чтобы он оставался стабильным после освобождения.

Электронная микроскопия подтвердила, что атомная решётка мембран остаётся без дефектов на больших участках, а спектроскопические измерения показали неизменность ключевых энергетических уровней. Авторы отмечают, что сочетание механической гибкости и стабильности свойств делает такие мембраны удобными для интеграции с другими материалами, включая двумерные кристаллы вроде графена.

Новая технология позволит создавать миниатюрные сенсоры, энергоэффективные спинтронные элементы и квантовые компоненты, в которых критически важна толщина и чистота материала. По мнению авторов, возможность «собирать» многослойные структуры из таких мембран расширит горизонты в области наноэлектроники и оптики.