Группа под руководством профессора Ён-Ён Но и доктора Юджин Рео из POSTECH разработала альтернативный подход, используя метод термического испарения. Эта технология, уже применяемая в производстве OLED-дисплеев и полупроводниковых чипов, позволила создавать равномерные слои иодида цезия и олова (CsSnI3) путём нагрева материала до испарения. Ключевым усовершенствованием стало добавление 1,5% хлорида свинца (PbCl2), что повысило кристалличность плёнок и снизило дефектность структуры.

Полученные транзисторы продемонстрировали подвижность дырок свыше 30 см2/В·с и отношение тока «включено/выключено» на уровне 108. Эти параметры не только превзошли предыдущие достижения для p-типа устройств, но и сравнялись с характеристиками коммерческих n-типа оксидных полупроводников. Такая производительность обеспечивает высокую скорость передачи сигналов при минимальном энергопотреблении.

Новый метод устранил главные недостатки растворных технологий: неоднородность покрытий и трудности интеграции в промышленные процессы. Термическое испарение позволяет формировать плотные массивы транзисторов на крупногабаритных подложках, сохраняя стабильность параметров. Кроме того, технология совместима с существующими производственными линиями для OLED, что сократит затраты на внедрение.

«Наше решение работает при температурах ниже 300 °C, что важно для создания ультратонких и гибких устройств, — пояснил профессор Но. — Это открывает перспективы для высокоразрешающих дисплеев в смартфонах, телевизорах с изогнутыми экранами, а также вертикально-интегрированных микросхем и носимой электроники». Внедрение таких решений повысит энергоэффективность устройств и расширит возможности дизайна, сохраняя конкурентоспособные производственные затраты.