Исследователи из Фуданьского университета в Китае создали прототип сверхбыстрой флеш-памяти PoX, которая способна записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Они использовали графеновый канал с двухмерной структурой Дирака, а для оптимизации процесса записи ученые применили алгоритмы искусственного интеллекта.