«Микронные узоры на поверхности пластин направляют лазерные лучи точно в зоны перегрева, обеспечивая локальное охлаждение с высокой эффективностью», — поясняют в Maxwell Labs. По заявлению компании, система не только снижает температуру чипа, но и захватывает часть удаляемого тепла, преобразуя его в электричество за счёт переизлучения фотонов. Это может повысить общую энергоэффективность систем, особенно в ЦОД и высокопроизводительных вычислениях.

«Успех проекта позволит не только сократить энергопотребление, но и выведет производительность процессоров на уровни, ранее считавшиеся недостижимыми», — отметил Майк Карпе, сооснователь и директор по развитию Maxwell Labs.

Однако внедрение технологии столкнётся с серьёзными трудностями. Производство сверхчистого GaAS остаётся чрезвычайно сложным и дорогим процессом. Кроме того, интеграция арсенид-галлиевых компонентов с кремниевыми чипами потребует продвинутых методов сборки, таких как гибридное склеивание и TSV-соединения. Пока что метод лазерного охлаждения проверен только в симуляциях — физические испытания запланированы на осень 2025 года.

Если Maxwell Labs удастся преодолеть технические барьеры, то это откроет новые возможности для проектирования процессоров, где тепловыделение и энергоэффективность перестанут быть ограничивающими факторами. Потенциал технологии уже привлёк внимание крупных игроков полупроводниковой индустрии, однако до её коммерциализации пройдёт не менее трёх лет.