В отличие от метода ASML, основанного на лазерно-индуцированной плазме (LPP), китайская система LDP генерирует EUV-излучение с длиной волны 13,5 нм за счёт испарения олова между электродами и преобразования его в плазму с помощью высоковольтного разряда. Столкновения электронов и ионов в этой плазме создают необходимую длину волны. Такой подход обеспечивает ряд преимуществ: упрощённую архитектуру, меньшие габариты, повышенную энергоэффективность и, возможно, снижение производственных затрат по сравнению с технологией ASML, которая полагается на мощные лазеры и сложные системы управления.

Санкции США, ограничивающие поставки EUV-оборудования в Китай, ранее тормозили развитие местной полупроводниковой промышленности. Китайские компании были вынуждены использовать системы глубокой ультрафиолетовой (DUV) литографии с длинами волн 248 нм и 193 нм. Новая система Huawei с её 13,5-нм излучением может стать прорывным решением.

Тем не менее, перед новой системой стоят серьёзные вызовы: пока неясно, сможет ли она обеспечить необходимое разрешение, стабильность и совместимость с существующими производственными процессами. Коммерциализация EUV-литографии от Huawei бросит вызов доминированию ASML, чьи новейшие High-NA EUV-системы стоят около 380 миллионов долларов. Для Китая, несмотря на высокие затраты на разработку, собственная EUV-машина станет ключом к независимости в производстве чипов. Ведущие фабрики, такие как SMIC, уже сотрудничают с Huawei для интеграции новых сканеров в свои процессы, хотя создание полноценной производственной цепочки требует времени.