Активация устройства хранения происходит с помощью простого ультрафиолетового лазера. Лазер стимулирует лантаноиды, которые в свою очередь высвобождают электроны. Эти электроны захватываются дефектами кристалла оксида, например, отдельными пробелами в структуре, где должен быть атом кислорода, но его нет.

Исследователи смогли управлять тем, какие дефекты заряжены, а какие нет. Обозначая заряженный пробел как «единицу», а незаряженный как «нуль», они превратили кристалл в мощное устройство хранения памяти в масштабе, невиданном в классических вычислениях.

«В этом кубике миллиметрового размера мы продемонстрировали, что есть по крайней мере миллиард таких элементов памяти — классической и традиционной», — отметил ассистент-профессор Тянь Чжун из UChicago PME.

Эта технология открывает захватывающие перспективы для будущего хранения данных, потенциально революционизируя возможности классических компьютеров и устройств хранения информации.