Речь тут идёт о сложении 16 слоев новейших кристаллов 3D NAND, используя крошечные конвейеры данных, называемые сквозными кремниевыми переходами. Также есть специальный логический слой, который может параллельно записывать данные в отдельные подмассивы NAND и из них. Это приводит к тому, что HBF упаковывает в 8–16 раз больше емкости на стек, чем сегодняшние реализации HBM. 

В частности, компания в виде примера показала систему с восемью стеками HBF, которая может обеспечить колоссальную емкость в 4 ТБ, что недостижимо для современной HBM. Впрочем, одно из основных ограничений NAND относительно HBM у новой памяти тоже остаётся — это заметно более высокие задержки. Но для задач ИИ это и не особо важно, а для потребительских игровых решений такую память всё равно использовать не будут.