Особенно важным стал тот факт, что двумерный материал толщиной менее одного нанометра, размещённый между металлом и кремнием, способен значительно изменить характер протекания электрического тока. При этом исследователи установили, что двумерный материал влияет преимущественно на процесс инжекции заряда, практически не затрагивая его сбор.

«Независимо от того, используем ли мы полупроводниковый MoS2, полуметаллический графен или изолятор h-BN, все эти материалы могут по-разному влиять на инжекцию заряда, но демонстрируют схожее поведение при его сборе. В особых условиях двумерный материал ведёт себя так, словно он невидим или имеет нулевое сопротивление для сбора заряда», – поясняет доктор Ли.

Исследование также раскрывает важные аспекты энергетической зонной структуры и механизмов переноса заряда на границе двумерных и трёхмерных материалов, особенно когда двумерные материалы масштабируются до монослоёв. Это понимание важно для развития будущих технологий и создания более компактных и мощных электронных устройств.