Исследователи из Университета Осаки представили инновационную технологию для устройств магниторезистивной памяти (MRAM), позволяющую существенно снизить энергопотребление при записи данных. Новый подход основан на использовании электрического поля вместо традиционного метода на основе электрического тока.
В последние годы появилось множество новых типов памяти для вычислительных устройств, призванных преодолеть ограничения традиционной оперативной памяти (RAM). MRAM выделяется среди них благодаря таким преимуществам, как энергонезависимость, высокая скорость работы, увеличенная ёмкость хранения и повышенная износостойкость.
В отличие от традиционной динамической памяти (DRAM), где для хранения данных используются транзисторы и конденсаторы, требующие постоянного энергопитания, MRAM использует магнитные состояния для записи и хранения информации, что обеспечивает энергонезависимость. Однако существующие устройства MRAM требуют значительного электрического тока для переключения векторов намагниченности в магнитных туннельных переходах, что приводит к нежелательному нагреву и высокому энергопотреблению.
