Оптимизация затрагивает не только транзисторы, которые рассчитаны на повышенные токи и частоты, но и внутренний металлический стек. Кроме того, новый техпроцесс позволяет формировать конденсаторы сверхвысокой емкости со структурой «металл-изолятор-металл».

Как утверждается, все это позволяет получить выигрыш по производительности до 15% по сравнению с N5 или до 4% по сравнению с N4P при напряжении питания 1,2 В. Дополнительный потенциал увеличения производительности обеспечен возможностью использования управляющих напряжений более 1,2 В. Заказчики могут ускорить разработку микросхем для N4X, воспользовавшись тем, что для этого техпроцесса подходят общие правила проектирования для техпроцесса N5. В TSMC ожидают, что рисковое производство с применением N4X начнется в первой половине 2023 года.